在“十一五”國家863計劃新材料領域項目的支持下，由中國科學院半導體研究所承擔的“高效氮化物LED材料及芯片關鍵技術”創(chuàng)新團隊項目課題近日順利通過驗收。

針對中國節(jié)能減排的重大需求，“高效氮化物LED材料及芯片關鍵技術”創(chuàng)新團隊建成了從半導體照明重大裝備、材料外延、芯片開發(fā)到高效大功率封裝及測試分析的完整柔性半導體照明工藝平臺，具有靈活的研發(fā)能力與工程化示范能力。

該創(chuàng)新團隊在中國率先突破以氮化物為主的半導體外延材料生長及摻雜、芯片結構設計及機理驗證、測試及封裝等關鍵技術，實現了150lm/w以上的LED高 效發(fā)光；成功制備了中國首個300nm以下室溫熒光發(fā)光的深紫外UVLED器件，并實現了器件功率的毫瓦級輸出；研制開發(fā)了中國首臺48片MOCVD樣 機，經第三方檢測，設備外延的氮化鎵材料，各項性能指標達到了同類國際MOCVD設備的水平。

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