鉬銅合金因其較高的熱導(dǎo)率和可調(diào)控的熱膨脹系數(shù)，在高功率電子封裝領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。通過優(yōu)化成分比例、制造工藝以及微觀結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)更優(yōu)的熱傳導(dǎo)性能和更精確的熱膨脹匹配，為電子器件提供更可靠的散熱解決方案。
熱導(dǎo)率與熱膨脹匹配的研究重點
鉬銅合金在電子封裝中的核心優(yōu)勢在于其熱導(dǎo)率與熱膨脹系數(shù)的協(xié)調(diào)優(yōu)化。在高功率電子器件中，熱管理是關(guān)鍵問題，材料需要具備高效的熱傳導(dǎo)能力，以減少器件溫度升高，同時還需匹配芯片及其他封裝材料的膨脹特性，以降低熱應(yīng)力帶來的失效風險。
（1）熱導(dǎo)率優(yōu)化研究
鉬銅的熱導(dǎo)率取決于鉬和銅的比例、材料的致密度以及制造工藝。優(yōu)化熱導(dǎo)率的研究主要關(guān)注以下幾個方面：
成分比例優(yōu)化：提高銅含量可提升熱導(dǎo)率，但需要兼顧機械強度和耐高溫性能。
制造工藝改進：采用高致密度的粉末冶金工藝或液相燒結(jié)技術(shù)，以減少微孔，提高熱導(dǎo)率。
界面熱阻控制：通過精細化合金相結(jié)構(gòu)，降低鉬銅相界面處的熱阻，提高整體熱傳導(dǎo)能力。
（2）熱膨脹匹配性能研究
為了確保鉬銅能夠與封裝芯片和其他材料匹配，研究重點包括：
精確調(diào)整CTE：通過優(yōu)化鉬銅比例，使CTE與Si、GaN、GaAs等芯片材料匹配，減少熱循環(huán)應(yīng)力。
微觀結(jié)構(gòu)優(yōu)化：通過均勻分布的鉬相與銅相，提高材料的膨脹均勻性，減少局部應(yīng)力集中。
溫度穩(wěn)定性研究：分析鉬銅在不同溫度環(huán)境下的CTE變化，以確保長期使用的穩(wěn)定性。
