鉬銅合金在電子封裝中扮演著重要的角色，憑藉其優(yōu)異的熱管理能力、匹配性強(qiáng)的熱膨脹係數(shù)、良好的機(jī)械強(qiáng)度和耐高溫特性，在高功率、高可靠性電子器件中得到廣泛應(yīng)用。
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，對(duì)封裝材料的要求越來(lái)越高，鉬銅仍將是該領(lǐng)域的重要材料之一，並將在未來(lái)的封裝技術(shù)中發(fā)揮更大的作用。其主要優(yōu)勢(shì)如下：
1.熱管理性能優(yōu)越
鉬銅材料結(jié)合了鉬的低膨脹性和銅的高導(dǎo)熱性，使其成為高功率封裝中理想的散熱材料。與鎢銅（W-Cu）相比，鉬銅密度較低，便於輕量化封裝，在航空航太電子中尤為重要。
2.可定制化CTE匹配
鉬銅的成分比例可根據(jù)具體應(yīng)用需求進(jìn)行調(diào)整，使其熱膨脹係數(shù)匹配不同的半導(dǎo)體材料，減少熱應(yīng)力，提高封裝可靠性。
3.耐高溫和耐腐蝕性
相比純銅或鋁，鉬銅在高溫環(huán)境下具有更好的穩(wěn)定性，不易氧化和變形，適用於苛刻環(huán)境，如軍用電子、航空航太以及工業(yè)功率器件等。
4.優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度
鉬銅材料的硬度和強(qiáng)度比純銅更高，能提供良好的結(jié)構(gòu)支撐，避免封裝在高應(yīng)力環(huán)境下變形或損壞。
典型應(yīng)用領(lǐng)域
由於上述優(yōu)勢(shì)，鉬銅合金在以下領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用：
功率半導(dǎo)體封裝（IGBT、MOSFET、SiC/GaN功率模組）
射頻與微波器件（5G基站、雷達(dá)放大器）
鐳射與光電子封裝（鐳射二極體、LiDAR模組）
航空航太與軍用電子（高可靠性封裝）
高功率LED照明（汽車LED、紫外LED）
